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CHEN QIN 
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工作温度范围:150（℃） 功耗:10 批号:11+ 材料:锗(Ge) 是否进口:是 针脚数:3 正向平均电流,IF:55 反向浪涌电压,Vrrm:30 型号/规格:RB060M-30 产品类型:整流管 品牌/商标:ROHM/罗姆 封装:SOD123
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额定电压:5V 产品系列:TK 线圈电源:28.1MA 额定电流:2A 线圈功率:140 mW 触点切换电流:2A 触点切换电压:220VDC - 值 触点负载:2A 应用范围:通用 型号/规格:TK1-5V 品牌/商标:Panasonic/松下 触点形式:SPDT（1 C 型）
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功率特性:大功率 标称阻值:0.1 材料:导电塑料 种类:其他 加工定制:否 频率特性:高频 产品性质:冷门 营销方式:现货 额定功率:150（W） 型号/规格:RR1220P-103-D 温度系数:PTC 允许偏差:±1% 品牌/商标:薄膜电阻器 性能:高阻 制作工艺:普通线绕 外形:管形
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功率:10 存储容量:16KB 批号:11+ 针脚数:16 类型:存储器 型号/规格:SST39VF016-70-4C-EI 品牌/商标:SST 用途:仪器 封装:TSSOP16
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功率特性:中功率 关断速度:普通 材料:硅(Si) 极数:三极 额定正向平均电流:0（A） 散热功能:带散热片 频率特性:中频 应用范围:振荡 封装形式:TO220 型号/规格:BT139-800E 封装外形:平板形 反向重复峰值电压:800V（V） 品牌/商标:NXP/恩智浦 控制极触发电流:10MA（mA） 稳定工作电流:16A（A） 控制方式:双向 封装材料:金属封装
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功率:l 存储容量:1MBIT 批号:02 针脚数:8 类型:存储器 型号/规格:EPCS1SI8 品牌/商标:ARTERA 用途:仪器 封装:SOIC-8
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功率特性:大功率 标称阻值:3KOHMS 材料:合成膜 种类:压敏 加工定制:否 频率特性:中频 产品性质:热销 营销方式:代理 额定功率:500（W） 型号/规格:RK73B2HTTE302J 温度系数:PTC 允许偏差:±5％ 品牌/商标:KOA 性能:通用 制作工艺:陶瓷绝缘功率型 外形:圆盘形
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功率特性:中功率 标称阻值:0.2 材料:合成膜 种类:陶瓷电阻 加工定制:否 频率特性:中频 产品性质:热销 营销方式:代理 额定功率:150（W） 型号/规格:RFP1281-2 温度系数:NTC 允许偏差:±1% 品牌/商标:RFPOWER 性能:高阻 制作工艺:陶瓷绝缘功率型 外形:管形
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额定电压:9VDA 产品系列:TQ 线圈电源:9VDA 额定电流:1A 线圈功率:140 mW 触点切换电流:1A 触点切换电压:125VDA 防护特征:1 A at 30 VDC / 500 mA at 125 VAC 触点负载:1 A at 30 VDC / 500 mA at 125 VAC 应用范围:电信 型号/规格:TQ2-9V 品牌/商标:Panasonic/松下 触点形式:DPDT（2 C 型）
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外形结构:立式 效率(η):12 电压比:220（V） 电源相数:三相 铁心形状:环型 加工定制:否 冷却形式:液/油浸式 频率特性:中频 应用范围:通讯 防潮方式:开放式 铁心形式:心式 额定功率:100（KVA） 冷却方式:油浸自冷式 型号/规格:PA0367 绕组形式:自耦 品牌/商标:PULSE
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材料:陶瓷 种类:位置 加工定制:否 防护等级:1 材料物理性质:半导体 型号/规格:QT110-ISG 材料晶体结构:单晶 线性度:1（%F.S.） 迟滞:1（%F.S.） 重复性:1（%F.S.） 漂移:1 分辨率:1 品牌/商标:OUAN 输出信号:模拟型 灵敏度:1 制作工艺:集成
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安装方式:卧式密封 电感量:1 额定电流:1（mA） 种类:电感磁珠 磁芯形状:柱形 导磁体性质:铜芯 标称电压:1（V） 允许误差:1 应用范围:阻流 品质因数Q:1 封装形式:插件电感 型号/规格:SN5-400 骨架材料:胶木 分布电容:1（F） 工作频率:高频 绕线形式:单层密绕式 品牌/商标:TOKO 感抗XL:1（Ω）
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功率特性:大功率 正向峰值电压:10（V） 直流输出电流:5（A） 直流输出电压:10（V） 交流输入电压:10（V） 整流元件:全桥 工作结温:20（℃） 频率特性:高频 效率:1（%） 应用范围:电机 型号/规格:SIVBA60 绝缘电压:10（V） 反向重复峰值电压:10（V） 反向重复峰值电流:2（mA） 品牌/商标:SHINDENGEN/新电元
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